特許
J-GLOBAL ID：200903061255884497
SiC単結晶を製造する装置及び方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-521527
公開番号（公開出願番号）：特表平8-506795
出願日： 1994年03月21日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：
【要約】SiCから成る単結晶(20)を製造するための方法及び装置において、気相からSiC単結晶(20)を析出するために結晶核(21)が配設されている反応室2と、少なくとも部分的にSiC貯蔵物(40)で満たされている貯蔵室(4)とを気相のSiCを搬送するため所定の断面積を有するガスチャネル(3)によって接続する。加熱装置(6)でSiC貯蔵物(40)は昇華され、反応室(2)内の温度勾配は調整される。それによりガス分子の搬送率を正確に調整することができるので、結晶の品質が高くかつ単結晶の歩留りのよい任意の断面を有するSiC単結晶を製造することができる。
請求項（抜粋）：
a)気相の炭化ケイ素(SiC)から単結晶(20)を成長させるための結晶核(21)が配設されている反応室(2)、b)少なくとも部分的に固体のSiCから成る貯蔵物(40)で満たされ、反応室(2)と空間的に分離されている貯蔵室(4)、c)貯蔵室(4)内のSiC貯蔵物(40)から気相のSiCを製造し、、また反応室(2)内の温度分布を調整するための少なくとも1つの加熱装置(6)を有するSiCから成る単結晶(20)を製造する装置において、d)気相のSiCをSiC貯蔵物(40)から結晶核(21)又は成長する単結晶(20)の晶出面に搬送するため貯蔵室(4)と反応室(2)とが所定の断面積を有するガスチャネル(3)により接続されていることを特徴とするSiC単結晶を製造する装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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