特許
J-GLOBAL ID：200903061257213212
薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ用半導体材料
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-295074
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195790
出願日： 1998年10月16日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 薄膜TFTに要求される特性を満たした有機半導体材料及びこれを用いた薄膜TFTを提供する。【解決手段】 活性層が有機半導体層である薄膜トランジスタである。活性層の構造は、6員環、縮合芳香族環を二つもしくは三つ有し、5員環の複素芳香族環が縮合されたものである。5員環は、置換されていてもよい。置換される場合、置換基は、炭素原子を約2〜約18有するアルキル基またはアルコキシアルキル基である。有機半導体化合物の電界効果移動度は、10-3cm2 /Vsより大きく、導電率は約10-6S/cmより低い。これらの材質から得られる薄膜フィルムデバイスのオン/オフ比は、少なくとも約100である。
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタであって、有機半導体化合物層が形成されているとともにこの有機半導体化合物層を通じて電流を流すための接点を備えた基板を有し、前記有機半導体化合物は、以下に示される構造もしくはその異性体の構造を有し、【化1】前記有機半導体化合物は、置換されていてもよく、上記構造で、Xは、酸素、アミン、又は硫黄であり、かつ、前記有機半導体化合物の電界効果移動度は、約10-3cm2 /Vsより大きく、その導電率は、20°Cで約10-6S/cmより小さく、かつ、前記薄膜トランジスタのソースドレイン電流のオン/オフ比は、少なくとも約100であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 618 B
, H01L 29/28
