特許
J-GLOBAL ID：200903061258544670
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-027100
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235507
出願日： 1994年02月25日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【構成】 本発明においては従来の熱処理装置の昇降温時に用いられていたアルゴン(Ar)や、窒素(N2 )に比べて熱伝導率が約1桁高い水素(H2 )または(He)を昇降時に反応室内に強制的に送り込む事によって、昇温時では輻射による加熱と基板自体の熱伝導と共に、充満する気体の熱伝導の働きにより基板中央部への熱伝導を活発にする。【効果】 本発明においては、熱処理装置の昇降温時に熱伝導率が高い気体を反応室内に強制的に送り込む事によって、熱伝導が活発となるため半導体基板に起こるスリップの発生を防ぐことができる。さらに反応室内の温度が比較的低い段階で半導体基板を反応室内に挿入させることが可能なため、基板の挿入時に混入する酸素との反応が起こらず、不必要な酸化膜の形成が防止される。
請求項（抜粋）：
反応室内に載置された半導体基板に所定の加工を行う半導体装置の製造方法において、前記反応室内の温度を水素またはヘリウムの気体を前記反応室内に流入させながら昇温または降温することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/22 511
, H01L 21/205
