特許

J-GLOBAL ID：200903061263089302

サーマルヘッドの製造方法

発明者： 平出 弥博
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 中尾 俊輔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-172755
公開番号（公開出願番号）：特開平8-034132
出願日： 1994年07月25日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 各電極の端子部の半田メッキを各端子部がショートすることなく適正に施すことのできるサーマルヘッドの製造方法を提供する。【構成】 発熱抵抗体に接続される個別電極4および共通電極5の端子部6をポリイミド樹脂10でマスキングして基板1の全面に保護層7を積層した後、前記ポリイミド樹脂10を除去して洗浄し、前記端子部6の表面全域にシリコン樹脂8を塗布してベーキングを行なった後、パターニングにより前記端子部6のシリコン樹脂8を除去して端子部6を露出させ、この端子部6に半田メッキ9を行なうようにしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

電気絶縁性基板上に形成されたグレーズ層上に複数の発熱抵抗体を形成するとともに、対応する発熱抵抗体に接続される複数の個別電極および前記各発熱抵抗体にそれぞれ接続される共通電極を形成したサーマルヘッドの前記各電極の端子部に半田メッキを施すためのサーマルヘッドの製造方法において、前記個別電極および共通電極の端子部をレジスト膜でマスキングして前記基板の全面に保護層を積層した後、前記レジスト膜を除去して洗浄し、前記端子部の表面全域にシリコン樹脂を塗布してベーキングを行なった後、パターニングにより前記端子部のシリコン樹脂を除去して端子部を露出させ、この端子部に半田メッキを行なうようにしたことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。

IPC (3件)：

B41J 2/335 ,  B41J 2/345 ,  H05K 3/24

FI (2件)：

B41J 3/20 111 H ,  B41J 3/20 113 B