特許

J-GLOBAL ID：200903061267076663

シリカ焼結体の製造方法

発明者： 枦山 一郎 ,  木村 光
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-089185
公開番号（公開出願番号）：特開平8-283065
出願日： 1995年04月14日
公開日（公表日）： 1996年10月29日
要約：

【要約】【目的】 シリカ焼結体の破壊靱性を向上することで信頼性の高いシリカ焼結体の製造方法を提供する。【構成】 原料粉末をバインダー、溶剤と混合してスラリーとし、これを成形した後、分圧にして0.005気圧以上0.85気圧以下の水蒸気を含む雰囲気中800°C以上1200°C以下にて焼成してシリカ焼結体を得る製造方法において、原料粉末に平均粒径5nm以上500nm以下である非晶質石英粉末と平均粒径10nm以上500nm以上であるアルミナ粉末5体積%以上40体積%以下からなる混合粉末を使用する。

請求項（抜粋）：

原料粉末をバインダー、溶剤と混合してスラリーとし、これを成形した後、分圧にして0.005気圧以上0.85気圧以下の水蒸気を含む雰囲気中800°C以上1200°C以下にて焼成してシリカ焼結体を得る製造方法において、原料粉末に平均粒径5nm以上500nm以下である非晶質石英粉末と平均粒径10nm以上500nm以下であるアルミナ粉末5体積%以上40体積%以下からなる混合粉末を使用することを特徴とするシリカ焼結体の製造方法。

IPC (3件)：

C04B 35/14 ,  C04B 35/18 ,  H05K 1/03 610

FI (3件)：

C04B 35/14 ,  H05K 1/03 610 D ,  C04B 35/18 Z