特許
J-GLOBAL ID：200903061267419439
欠陥検査方法および欠陥検査装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
高橋 省吾
, 稲葉 忠彦
, 村上 加奈子
, 中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-212914
公開番号（公開出願番号）：特開2005-321415
出願日： 2005年07月22日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
【課題】 半導体デバイスの製造における成膜やエッチング過程において、凸凹を有する正常な導体パターンが含まれたウエハ上の、導体欠落、短絡、異物付着などの欠陥を高い確率で検出する。【解決手段】 表面凹凸を有する正常な導体パターンを含む部位と検査対象となる部位と比較する部位の光学像を電荷像に変換し電気信号として取り出す撮像素子を備え、この撮像素子により表面凹凸を有する導体パターン部位を含む光学像を素子信号となし、この素子信号が飽和するように光学像の光量を制御する。さらにこの光量を用いて検査対象となる部位の素子信号を取り込み、比較する部位から取り込んだ素子信号との差信号と、導体パターンの凹凸を有する部位の素子信号と飽和レベルとの差の絶対値により欠陥を判定する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
検査体に照射する検査光の光量に初期値を与え検査画像を取り込む第1の工程と、前記初期値の光量を照射して取り込んだ画像の中から、正常な導体パターンで凹凸を有する部位を含有する範囲を素子信号取り込み範囲として選択し、撮像素子を用いて光学像を素子信号として取り込む第2の工程と、前記素子信号取り込み範囲における導体パターンの素子信号が飽和するように前記検査光の光量を制御する第3の工程と、前記のように制御された光量を用いて検査対象となる部位と該検査部位に対応する比較部位の素子信号を取り込む第4の工程と、前記検査体の検査対象となる部位から取り込んだ素子信号と比較する部位から取り込んだ素子信号との差信号と、導体パターンの凹凸を有する部位の素子信号と飽和レベルとの差の絶対値により欠陥を判定する第5の工程とを備えたことを特徴とする欠陥検査方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N21/956 A
, H01L21/66 J
2G051AA51
, 2G051AB02
, 2G051BC01
, 2G051CA03
, 2G051CA04
, 2G051CB01
, 2G051EA08
, 2G051EB01
, 2G051EC01
, 4M106AA01
, 4M106BA04
, 4M106CA39
, 4M106DB07
, 4M106DJ18
, 4M106DJ19
, 4M106DJ20
