特許
J-GLOBAL ID：200903061272361260
第2高調波発生素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 順三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-178977
公開番号（公開出願番号）：特開平5-002201
出願日： 1991年06月25日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【目的】 変換効率の高い第2高調波発生素子を得ること。【構成】 タンタル酸リチウム基板上にニオブ酸リチウム単結晶薄膜導波路を形成し、さらにこのニオブ酸リチウム単結晶薄膜導波路に周期ドメイン反転構造を形成して第2高調波発生素子とする。そして、この素子において前記タンタル酸リチウム基板と前記ニオブ酸リチウム単結晶薄膜とを格子整合させる。また、このような第2高調波素子の製造に当たって、特にドメイン反転構造部は通常のニオブ酸リチウム単結晶薄膜のキュリー温度より低い温度で加熱冷却することにより、周期的な分極の反転により形成する。
請求項（抜粋）：
タンタル酸リチウム基板上にニオブ酸リチウム単結晶薄膜からなる導波路を形成してなる第2高調波発生素子において、そのニオブ酸リチウム単結晶薄膜導波路に周期ドメイン反転構造を設けてなる第2高調波発生素子。
引用特許：
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