特許
J-GLOBAL ID:200903061275792262
水素含有超純水の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
内山 充
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-252847
公開番号(公開出願番号):特開平11-077023
出願日: 1997年09月02日
公開日(公表日): 1999年03月23日
要約:
【要約】【課題】微粒子により汚染された半導体用シリコン基板、液晶用ガラス基板などの電子材料のウェット洗浄に用いる水素含有超純水を、水素ガスの無駄がなく、高い水素ガス溶解効率で製造することができる水素含有超純水の製造方法を提供する。【解決手段】超純水を脱気して溶存気体の飽和度を低下させたのち、水素ガスを供給して超純水に水素ガスを溶解することを特徴とする水素含有超純水の製造方法。
請求項(抜粋):
超純水を脱気して溶存気体の飽和度を低下させたのち、水素ガスを供給して超純水に水素ガスを溶解することを特徴とする水素含有超純水の製造方法。
IPC (4件):
C02F 1/20
, B01D 19/00
, B01F 1/00
, B01F 3/04
FI (4件):
C02F 1/20 A
, B01D 19/00 H
, B01F 1/00 A
, B01F 3/04 Z
引用特許:
審査官引用 (2件)
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脱入気装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-125471
出願人:工業技術院長
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特開平4-058528
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