特許
J-GLOBAL ID：200903061281265975
高耐圧型半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-333077
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078990
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】 高耐圧型半導体装置の構造の改良を図ることにより“OFF”状態において高耐圧であり、かつ、“ON”状態において低抵抗な高耐圧型半導体装置を提供する。【構成】 チャネル領域20の幅は、ゲート電極9の平面パターン形状において、直線部分のチャネル領域20の幅W1 よりも、コーナー部分のチャネル領域20の幅W2 のほうがひろく設けられている。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層と、前記半導体層の所定の位置に形成された第2導電型低濃度不純物領域と、前記半導体層の表面の、前記第2導電型低濃度不純物領域の一方端側において、前記第2導電型低濃度不純物領域の端部からチャネル領域をなすように所定の距離を隔てて形成された第2導電型のソース領域と、前記チャネル領域の上方において、前記半導体層の表面と絶縁膜を介し、かつ、前記第2導電型低濃度不純物領域の上面の一部に延在するように形成されたゲート電極と、前記ソース領域の前記チャネル領域とは反対側の領域において、前記ソース領域と接するように前記半導体層の表面に形成された第1導電型不純物領域と、前記ソース領域と前記第1導電型不純物領域とに接続され、前記半導体層と前記ゲート電極とに対して絶縁膜を介して形成されたソース電極と、前記半導体層の表面の、前記第2導電型低濃度不純物領域の他方端側において、前記第2導電型低濃度不純物領域と接するように形成された第2導電型のドレイン領域と、前記ドレイン領域と電気的に接続され、前記半導体層と前記第2導電型低濃度不純物領域とに対し、絶縁膜を介して形成されたドレイン電極と、を備え、前記チャネル領域の幅は、前記ゲート電極の平面パターン形状において、直線部分のチャネル領域の幅よりもコーナー部分のチャネル領域の幅のほうが広く設けられている、高耐圧型半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 X
, H01L 29/78 301 S
