特許
J-GLOBAL ID：200903061283119860
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-289969
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140889
出願日： 1992年10月28日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 クランプレベルを可変にし、バーンイン試験時は通常動作時よりもこのクランプレベルを低くし、バーンイン試験時における過電圧によるデバイスの劣化を防ぐ。【構成】 クランプ手段180により決まるクランプレベルをクランプ制御手段190からのクランプレベル制御信号/φclにより変化させ、バーンイン試験時の高電源電圧が印加されるときはクランプレベルを低くしている。
請求項（抜粋）：
外部電源電圧が印加される外部電源電圧ノード、上記外部電源電圧ノードからの外部電源電圧を受け、この外部電源電圧を降圧した内部電源電圧を内部電源電圧ノードに出力する電源電圧降圧手段、上記内部電源電圧ノードからの内部電源電圧を受け、この内部電源電圧よりも高い昇圧電圧を出力する昇圧手段、上記昇圧手段からの昇圧電圧およびクランプ制御手段からのクランプ制御信号を受け、上記昇圧電圧を所定電圧と上記クランプ制御信号により変化する複数種のクランプレベルとの和の電圧にクランプするクランプ手段を備えた半導体装置。
引用特許：
前のページに戻る
