特許

J-GLOBAL ID：200903061283867484

成膜装置、クリーニング方法、及び成膜方法

発明者： 西谷 英輔 ,  荒井 利行 ,  鈴木 美和子 ,  内田 憲宏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-088428
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097434
出願日： 1998年04月01日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】 装置内残留物を装置ダメージを低減して残留物を除去する。【解決手段】 CVD装置等の反応炉体1内部に、残留物よりもエッチング速度の小さい材質のインナーチューブ5とウエハ支持台4を設ける。また、反応炉体、インナーチューブ間を不活性ガスでパージし、炉体内壁への成膜抑制とクリーニングガスによるダメージを抑制する。【効果】 装置ダメージを低減して残留物を除去し、発塵低減及びスループット向上に寄与し、装置稼働率が向上する。

請求項（抜粋）：

モノシラン、ジシラン、またはSiH4-nCln(n=1〜4)、Si2H6-xClx(x=1〜6)で表される塩化シランあるいはアルコキシド系、アルコキシル系及びアルキル系の有機系液化物の気化ガスを原料ガスとして用いる成膜装置であって、前記成膜装置の反応炉体の材質が、クリーニングガスによるエッチング速度が、膜を形成するための材料のエッチング速度よりも小さい材質で形成されていることを特徴とする成膜装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N