特許
J-GLOBAL ID:200903061285402110

液晶パネル

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊藤 洋二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-035178
公開番号(公開出願番号):特開平9-230375
出願日: 1996年02月22日
公開日(公表日): 1997年09月05日
要約:
【要約】【目的】 反射電極構造に工夫を凝らすことにより、MOSトランジスタに対する確実な遮光構造を有する反射型液晶パネルを提供することを目的とする。【解決手段】 下側電極基板P1では、低反射層150a、高融点金属層150b及び高反射層150cを反射電極層150として形成し、この反射電極層150の三層に亘り溝Gを形成して各反射電極Hをマトリクス状に区画形成する。また、これら反射電極Hは、層間絶縁膜140を介し半導体基板60の一主面61にマトリクス状に形成した複数のMOSトランジスタ(90a乃至90d)にそれぞれ接続されている。なお、電極基板P1に高分子分散液晶P3を介し上側電極基板P2が対向して配設されている。
請求項(抜粋):
半導体基板(60)と、この半導体基板の一主面(61)にマトリクス状に形成した複数のMOSトランジスタ(90a乃至90d)と、これらMOSトランジスタを覆うように前記一主面に形成した層間絶縁膜(140)と、この層間絶縁膜にマトリクス状に形成された複数の反射電極(H)とを備えた第1電極基板(P1)と、この第1電極基板に並設されて前記複数の反射電極に対向する透明電極(170)を有する第2電極基板(P2)と、前記第1及び第2の電極基板の間に介装された液晶(P3)とを備え、前記複数の反射電極のうち互いに隣り合う各両反射電極の間に形成される間隙(G)が、この間隙への入射光に回折を起こさせる幅を有しており、前記各反射電極が、それぞれ、可視光に対し大きな吸収係数を有する低反射率の材料で前記層間絶縁膜上に形成されて前記各MOSトランジスタに当該層間絶縁膜を通し接続してなる各低反射電極(Ha、150a)と、これら各低反射電極に前記液晶側から高反射率の材料で形成された各高反射電極(Hc、150c)とを具備する反射型液晶パネル。
IPC (2件):
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78
FI (2件):
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 656 C

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