特許
J-GLOBAL ID:200903061286743778
位置検知センサ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
最上 健治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-185364
公開番号(公開出願番号):特開平10-012856
出願日: 1996年06月27日
公開日(公表日): 1998年01月16日
要約:
【要約】【課題】 背景光が混じってもスポット光の位置検知の可能な位置検知センサを提供する。【解決手段】 n- 層102 とn層103 とn- 層104 とからなる基板101 の表側表面に、島状に分割されたp+ 型拡散層106 とポリシリコン電極107 とを配設して受光部105 を形成し、基板101 の裏側表面には、p型拡散層111 を基板表面側の受光部105 と表裏対称となる位置に、受光部105 とほぼ同じ大きさで設けて、位置検知部を形成し、位置検知センサを構成する。
請求項(抜粋):
第1導電型の半導体基板と浮遊電位にある第2導電型拡散層と該第2導電型拡散層の分離領域とから成る受光部と、第1導電型の半導体基板と複数の電極を有する第2導電型拡散層とから成る位置検知部と、前記受光部に接するように形成され前記受光部に蓄積された電荷をリセットするための領域とを有し、前記受光部と位置検知部とがポテンシャル障壁を経て接するように構成されていることを特徴とする位置検知センサ。
IPC (4件):
H01L 27/146
, G01B 11/00
, H01L 27/14
, H01L 31/16
FI (4件):
H01L 27/14 A
, G01B 11/00 E
, H01L 31/16 B
, H01L 27/14 K
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