特許

J-GLOBAL ID：200903061288772660

固体撮像素子

発明者： 藤原 郁夫 ,  本多 浩大 ,  飯田 義典
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-171422
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004684
出願日： 2006年06月21日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

【課題】マイクロレンズを省略することができ、更に、画素サイズの微細化に伴う入射光の感度の低下を防止することができる固体撮像素子の提供。【解決手段】半導体基板上に絶縁層を備え、その絶縁層上に吸収される光の種類(R、G、B)が異なる複数の光電変換部を積層させ、積層させた光電変換部は上層に積層されるにつれて幅が大きくなり、かつ、第1光電変換部の下層、第2光電変換部の第1光電変換部が形成されていない下層、第3光電変換部の第1光電変換部及び第2光電変換部が形成されていない下層、及び第1から第3光電変換部が形成されていない下層のそれぞれに各光電変換部で発生した信号を検出する信号検出部及び信号検出部で検出した信号を伝導する伝導回路部を配置する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

画素領域を備えた半導体基板と、 前記半導体基板の前記画素領域内の第1領域、前記第1領域に隣接する第2領域、前記第2領域に隣接する第3領域、及び前記第3領域に隣接する第4領域上に設けられた第1絶縁層と、 前記第1絶縁層を介して前記半導体基板の前記第1領域上に設けられた第1光電変換部と、前記第1絶縁層を介して前記半導体基板の前記第2領域、前記第3領域、及び前記第4領域上に設けられた第2絶縁層とを備えた第1光電変換層と、 前記第1絶縁層及び前記第1光電変換層を介して前記半導体基板の前記第1領域及び前記第2領域上に設けられた第2光電変換部と、前記第1絶縁層及び前記第1光電変換層を介して前記半導体基板の前記第3領域及び前記第4領域上に設けられた第3絶縁層とを備えた第2光電変換層と、 前記第1絶縁層、前記第1光電変換層、及び前記第2光電変換層を介して前記半導体基板の前記第1領域、前記第2領域、及び前記第3領域上に設けられた第3光電変換部と、前記第1絶縁層、前記第1光電変換層、及び前記第2光電変換層を介して前記半導体基板の前記第4領域上に設けられた第4絶縁層とを備えた第3光電変換層と、 前記第1絶縁層と前記第1光電変換部との間に設けられ、前記第1光電変換部で発生した信号を検出する第1信号検出部と、 前記第1光電変換層と前記第2光電変換部との間に設けられ、前記第1光電変換部及び前記第2光電変換部で発生した信号を検出する第2信号検出部と、 前記第2光電変換層及び前記第3光電変換部との間に設けられ、前記第2光電変換部及び前記第3光電変換部で発生した信号を検出する第3信号検出部と、 前記第3光電変換層の前記第3信号検出部が設けられた面に対向する面に設けられ、前記第3光電変換部で発生した信号を検出する第4信号検出部と、 前記第1領域上の前記第1絶縁層内に設けられ、前記第1信号検出部で検出した信号を伝導する第1伝導回路部と、 前記第2領域上の前記第1絶縁層内及び前記第2絶縁層内に設けられ、前記第2信号検出部で検出した信号を伝導する第2伝導回路部と、 前記第3領域上の前記第1絶縁層内、前記第2絶縁層内、及び前記第3絶縁層内に設けられ、前記第3信号検出部で検出した信号を伝導する第3伝導回路部と、 前記第4領域上の前記第1絶縁層内、前記第2絶縁層内、前記第3絶縁層内、及び前記第4絶縁層内に設けられ、前記第4信号検出部で検出した信号を伝導する第4伝導回路部と、 を備えることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (1件)：

H01L 27/146

FI (1件)：

H01L27/14 E

Fターム (12件)：

4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA14 ,  4M118CA14 ,  4M118CA27 ,  4M118CA32 ,  4M118CB06 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118GC07 ,  4M118HA31

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 光電変換素子及びそれを用いた固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-104028   出願人：キヤノン株式会社