特許
J-GLOBAL ID：200903061291436433
極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-050634
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260050
出願日： 2003年02月27日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】基板1上に、露光光の高反射領域となる多層膜2を有し、前記多層膜2上に低反射領域となる吸収性薄膜のパターン3を有する極限紫外線露光用マスクにおいて、DUV露光による欠陥検査能力を向上するために、多層膜1とのDUV光反射率コントラクトを大きくできるよう吸収膜3’材料が規定されたEUV露光用マスクおよびそれを作製するためのブランク並びにそのマスクを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】前記低反射部となる薄膜3’は、波長150nmから300nmの紫外線に対する消衰係数が、0.2から1.0の範囲にあることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、露光光の高反射領域となる多層膜を有し、前記多層膜上に低反射領域となる吸収性薄膜のパターンを有する極限紫外線露光用マスクにおいて、前記低反射部となる薄膜は、波長150nmから300nmの紫外線に対する消衰係数が、0.2から1.0の範囲にあることを特徴とする極限紫外線露光用マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 531M
, G03F1/16 A
2H095BA10
, 2H095BC05
, 2H095BC11
, 2H095BD02
, 5F046GD07
, 5F046GD10
, 5F046GD11
, 5F046GD16
