特許

J-GLOBAL ID：200903061291727659

半導体集積回路

発明者： 川村 一裕
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-139596
公開番号（公開出願番号）：特開平10-336006
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】プッシュプル出力回路において、ノイズで貫通電流が流れることを防止し、また負荷短絡で流れる過電流を抑制する。【解決手段】プッシュプル回路50を構成するpチャネルMOSFET1のソース2が付加抵抗21を介して電源の高電位側(VCC)に接続され、ドレイン3がnチャネルMOFET5のドレイン7と接続し、nチャネルMOSFET5のソース6が電源の低電位側(GND)に接続され、pチャネルMOSFET1のゲート4はレベルシフト回路10と接続され、レベルシフト回路10およびnチャネルMOSFET5のゲート8はロジック回路11と接続され、pチャネルMOSFET1のドレイン3とnチャネルMOSFET5のドレイン7が接続される接続点9からプッシュプル出力(OUT)が取り出される。

請求項（抜粋）：

pチャネル型MOSFETとnチャネル型MOSFETとで構成されるプッシュプル出力回路を有し、プッシュプル出力回路により外部負荷をスイッチング駆動する半導体集積回路において、該プッシュプル出力回路のpチャネルMOSFETのソース側に所定の値を有する抵抗を付加することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H03K 19/0175 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (2件)：

H03K 19/00 101 F ,  H01L 27/08 321 L