特許

J-GLOBAL ID：200903061300959150

半導体装置作製方法

発明者： 小玉 光文 ,  高山 一郎 ,  荒井 三千男
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  ティーディーケイ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-037959
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226518
出願日： 1994年02月10日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【目的】 オフセット構造あるいはLDD構造のTFTを提供する。【構成】 ゲイト電極を構成する材料106より耐エッチング性の高い材料遮蔽材料107を形成する。この遮蔽材料107をマスクとして、ゲイト電極材料を選択的にサイドエッチングする。この結果ゲイト電極110が形成される。さらに遮蔽材料を選択的に加工し、ドレイン領域側のみに残存させる。そしてイオン注入工程により不純物イオンを注入を行なうことにより、遮蔽材料下にオフセット領域あるいはLDD領域が形成される。

請求項（抜粋）：

ゲイト電極上にゲイト電極材料より耐エッチング性を有する遮蔽材料を設ける工程と、ゲイト電極材料をサイドエッチングし前記遮蔽材料をゲイト電極上にオーバーハングさせる工程と、ソース領域側のオーバーハングした遮蔽材料を除去し、ドレイン領域側のみにオーバーハングした遮蔽材料を残す工程と、該工程で残存した遮蔽材料をマスクとして不純物注入を行う工程と、を有する半導体装置作製方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 29/78 311 G