特許
J-GLOBAL ID：200903061309125368
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-309286
公開番号（公開出願番号）：特開平8-166595
出願日： 1994年12月13日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：
【要約】【目的】 外部接続用パッドより進入した静電気が半導体集積回路装置内部に進入して回路素子を破壊したり、液晶表示装置への静電気によるダメージを回避した半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【構成】 入力部Aに葛折り形状に下層部導体膜20を形成する。その上部に外部接続用パッド14の分岐部Bから延長された延長部Cが前記下層部導体膜20の一部に重畳するように形成される。こうして外部接続用パッド14に静電気が発生した場合、瞬時に下層部導体膜20に電荷を移動させる。【効果】 このため半導体集積回路装置内部の回路素子に静電気の影響が及ぶことがなく、半導体集積回路装置や液晶表示装置の静電破壊や特性劣化を防止することができる。
請求項（抜粋）：
外部接続用パッドに連接して形成された静電破壊防止パターンであって、該静電破壊防止パターンは、前記外部接続用パッドから分岐して延在する上層部導体膜と、前記上層部導体膜の下部に複数の凹孔を含んで配設した第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜の下部に配設した第1の絶縁膜と、更に前記第1の絶縁膜の下部に延在する下層部導体膜とを含んで成ることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件)：
G02F 1/1345
, G02F 1/136 500
, H01L 29/786
