特許

J-GLOBAL ID：200903061309282854

半導体レーザおよびその作製方法

発明者： 木戸口 勲 ,  伴 雄三郎 ,  大仲 清司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-329024
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220221
出願日： 1991年04月08日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】 クラッド層と活性層の間に特殊な構造体を作製することにより、活性層への不純物や欠陥の拡散を防止する。【解決手段】 活性層とクラッド層との間に、不純物無添加の半導体層と不純物添加の半導体層とを積層した構造体を設ける。クラッド層を、不純物無添加の半導体層と不純物添加の半導体層とを積層した構造体にしてもよい。

請求項（抜粋）：

n型クラッド層を基板の上に形成する第1の工程と、活性層を前記n型クラッド層の上に形成する第2の工程と、不純物を有する第1の半導体層と前記不純物を有さない第2の半導体層とを備えたp型クラッド層を前記活性層の上に形成する第3の工程とを有する半導体レーザの作製方法であって、前記第1の半導体層の禁制帯幅が前記第2の半導体層の禁制帯幅より大きいことを特徴とする半導体レーザの作製方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-119679
  
• 特開平2-033990
  
• 特開平3-227089