特許
J-GLOBAL ID：200903061310038800
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-033277
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232510
出願日： 1996年02月21日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】制御回路ブロックのプリント基板,ないしは樹脂ケースを金属ベース板に接合する接着剤から発生したガスが基で回路ブロックを封止しているシリコーンゲルの槽内にガス空間が生じても、主回路ブロックのパワー素子と金属ベース板との間に十分な絶縁耐圧が確保できるようにする。【解決手段】金属ベース板1に主回路,制御回路ブロック2,3を並置搭載し、樹脂ケース内に充填したシリコーンゲル10で各回路ブロックを封止し、ベース板に対してプリント基板3aを接着剤9で接合したものにおいて、金属ベース板における主回路ブロックの搭載面域と制御回路ブロックの搭載面域との間に高低段差ΔHを形成し、接着剤9からの発生ガスによりシリコーンゲル層内に生成したガス空間11がセラミック基板2aの上面側導体パターン2cの領域まで突き進むのを防いで主回路ブロックの絶縁耐圧確保を図る。
請求項（抜粋）：
樹脂ケースと組合わせた金属ベース板に主回路ブロック,制御回路ブロックを並置搭載し、樹脂ケース内に充填したゲル状樹脂で各回路ブロックを封止してなる半導体装置であり、金属ベース板に対して、主回路ブロックのセラミック基板は半田接合し、樹脂ケース,制御回路ブロックのプリント基板を接着剤で接合したものにおいて、前記金属ベース板における主回路ブロックの搭載面域と残り面域との間に、主回路ブロックの搭載面域が高段となる高低段差を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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