特許
J-GLOBAL ID：200903061310055527
光外部強度変調器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-213830
公開番号（公開出願番号）：特開平8-076068
出願日： 1994年09月07日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】長期間に亙って安定的に光の外部強度変調を行うことを可能とする。【構成】加算器5にて、AM変調器65にて主信号を低周波信号発振器3が発生する低周波信号で振幅変調したのちに、加算器5にてバイアス電圧印加回路4が発生するバイアス電圧を重畳して得られる信号を変調信号とし、この変調信号により光外部強度変調素子にて光を外部強度変調する。初期バイアス設定回路20では電源投入時において、充電用コンデンサ21および抵抗器22からなる積分回路によりバイアス電圧印加回路4の入力端をグランドレベルとしたのち、やがて誤差増幅器13が出力する制御電圧をバイアス電圧印加回路4の入力端に与える。
請求項（抜粋）：
干渉型光外部強度変調素子を用いた光外部強度変調器において、所定の低周波信号を発生する低周波信号発生手段と、バイアス電圧を発生するバイアス発生手段と、主信号を前記低周波信号で振幅変調したのちに前記バイアス電圧を重畳して得られる信号を変調信号として前記干渉型光外部強度変調素子に与える重畳手段と、前記干渉型光外部強度変調素子の出力光から前記低周波信号に相当する成分を抽出する低周波信号抽出手段と、この低周波信号抽出手段により抽出された低周波信号に基づいて前記バイアス電圧の電圧レベルを制御するバイアス制御手段と、電源投入時に、前記バイアス電圧を所定の電圧レベルに制御する初期設定手段とを具備したことを特徴とする光外部強度変調器。
引用特許：
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