特許

J-GLOBAL ID：200903061310379306

半導体発光装置

発明者： 福永 敏明
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-022281
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299530
出願日： 2000年01月31日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】 短波長半導体発光装置において、高出力発振下においても信頼性の高い550nm付近までの長波長化を実現する。【解決手段】C面サファイア基板1上にGaNバッファ層2を20nm程度の膜厚で形成し、続いて、GaN層3を2μm程度成長させ、その後、SiO2層4を形成し、ラインアンドスペースのパターンを形成し、Inx1Ga1-x1N層5を20μm程度選択成長する。引き続き、SiドープInx1Ga1-x1N層6を5μm程度形成し、750°Cで240層のSiドープInx2(Alz2Ga1-z2)1-x2N(2.5nm)/Inx3(Alz3Ga1-z3)1-x3N(2.5nm)超格子クラッド層7を形成する。続いて、SiドープInx3(Alz3Ga1-z3)1-x3N光導波層8、Inx3Ga1-x3N(5nm)/Inx4Ga1-x4N(2.5nm)多重量子井戸活性層9、MgドープInx3(Alz3Ga1-z3)1-x3N光導波層10、MgドープInx2(Alz2Ga1-z2)1-x2N(2.5nm)/Inx3(Alz3Ga1-z3)1-x3N(2.5nm)の超格子クラッド層11、MgドープInx1Ga1-x1Nコンタクト層12を形成する。

請求項（抜粋）：

第1の基板上に、選択成長により形成される第2の基板、一対の電極の一方を備えた導電性基板、下部クラッド層、下部光導波層、量子井戸活性層、上部光導波層、上部クラッド層、コンタクト層および他方の電極をこの順に積層してなる半導体発光装置において、前記第2の基板と導電性基板が、InGaN系の材料からなり、前記クラッド層が、前記導電性基板に対する歪量が±0.01以内の組成であり、InGaAlN系の材料からなることを特徴とする半導体発光装置。