EUVに透明な境界構造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：津軽進 , 宮崎昭彦 , 青木宏義
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-582288
公開番号（公開出願番号）：特表2004-519868
出願日： 2002年04月10日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

第1閉室(80)と第2閉室(70)とを光学的に結合する一方、一方の室から他方への媒体及び/又は粒子の汚染流を防止するためのEUVに透明な境界構造が、膜(60)又はチャンネル構造(100)の形態のEUVに透明な部材(60)を有している。EUVに透明な(不活性)ガス(68)が、上記部材の汚染源(LA、W)に面する側において、該汚染源に向かって強制的に流され、汚染粒子を上記部材(60、100)から遠ざける。該境界構造は、リソグラフィック投影装置において、EUV放射源(LA)と照明光学系(IL)との間、及び/又は投影系(PL)と基板(W)上のレジスト層(RL)との間に配置することができる。

請求項（抜粋）：

第1閉室と第2閉室とを光学的に結合する一方、一方の室から他方への媒体及び/又は粒子の汚染流を防止するためのEUVに透明な境界構造において、EUVに透明な部材と、EUVに透明なガスの流れを前記部材の前記汚染流に面する表面の近傍において注入すると共に前記EUVに透明なガスを前記汚染流の方向とは反対の方向に噴出するガスガイドとを有することを特徴とするEUVに透明な境界構造。

IPC (4件)：

H01L21/027 , G03F7/20 , G21K5/00 , G21K5/02

FI (6件)：

H01L21/30 531A , G03F7/20 503 , G03F7/20 521 , G21K5/00 B , G21K5/00 Z , G21K5/02 X

Fターム (7件)：

2H097BA10 , 2H097CA15 , 2H097FA09 , 2H097LA10 , 5F046GA03 , 5F046GB04 , 5F046GB09

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭61-158656
特開昭61-158656
極端紫外光学素子用のキャッピング層
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-195020 出願人：エイエスエムリトグラフィーベスローテンフエンノートシャップ

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