特許
J-GLOBAL ID：200903061319405350
シリコンウエハ半製品とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-335352
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181289
出願日： 1995年12月22日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 同じトランジスタを一次元的に複数個並べたICをスクイブラインを介してマクリスク状に設けたシリコンウエハ半製品において、ICの小型化及びコストダウンを図ること。【解決手段】 ICの最小加工巾をステッパーを用いることにより1.2μm以下で形成するとともに、ステッパーの合せマークをチップ巾方向のスクライブラインのみにいれることことにより、チップ長さ方向のスクライブラインを細く形成することによりチップ巾を400μm以下にした。不良チップのバットマークは、レーザー照射により100〜200μmの直径まで小さくした。
請求項（抜粋）：
シリコンウエハの表面にICがマクリックス状にスクライブラインを介して複数繰り返し設けられているシリコンウエハ半製品において、前記ICは一次元的に繰り返して並べられた複数の同一トランジスタから構成されるとともに、少なくとも一つの前記ICの表面に直径100〜200μmのバッドマークが設けられていることを特徴とするシリコンウエハ半製品。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, H01L 21/02
, H01L 21/66
H01L 27/14 A
, H01L 21/02 A
, H01L 21/66 A
