特許

J-GLOBAL ID：200903061321210257

放射線撮像装置

発明者： 竹田 慎市
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 西山 恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-067005
公開番号（公開出願番号）：特開2003-270351
出願日： 2002年03月12日
公開日（公表日）： 2003年09月25日
要約：

【要約】【目的】 放射線撮像装置の蛍光体下の保護膜及び遮光膜の塗布をマスキング等の前処理等の付加作業をようすることなく選択的に塗布するとともに、大きな塗布ムラが発生しても高画質で高信頼性の放射線撮像装置を低コストで得る。【構成】 前記保護膜並びに前記遮光膜が前記透光性絶縁基板の光電変換素子の作製過程で形成された外部接続端子を除く光電変換素子形成領域のそれぞれ上下に選択的に塗布され、保護膜の形成端が前記X線可視光変換装置が設けられる領域より大きく、且つ、少なくとも前記光電変換基板上に形成された接続端子形成領域より小さく形成され,且つ、前記X線可視光変換装置下の前記保護膜及び遮光膜の形成膜厚が塗布安定領域であることを特徴とする放射線撮像装置。

請求項（抜粋）：

複数の光電変換素子が形成された透光性絶縁基板からなる光電変換装置と前記透光性絶縁基板の光電変換素子が形成された受光面上に少なくともX線可視光変換層が形成されたX線可視光変換装置とを備える放射線撮像装置において、前記X線可視光変換層と前記光電変換装置の受光面に透光性有機材料からなる保護膜を備え、且つ、前記透光性絶縁基板の光電変換素子が形成された面の裏面に非透光性有機材料からなる遮光膜が形成され、前記保護膜並びに前記遮光膜が前記透光性絶縁基板の光電変換素子の作製過程で形成された接続端子を除く素子形成領域のそれぞれ上下に選択的に塗布されることを特徴とする放射線撮像装置。

IPC (4件)：

G01T 1/20 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/09 ,  H04N 5/321

FI (7件)：

G01T 1/20 E ,  G01T 1/20 G ,  G01T 1/20 L ,  H04N 5/321 ,  H01L 31/00 A ,  H01L 27/14 K ,  H01L 27/14 D

Fターム (26件)：

2G088EE01 ,  2G088FF02 ,  2G088GG19 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ37 ,  4M118AA08 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA32 ,  4M118CB06 ,  4M118CB11 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118GA10 ,  4M118GB04 ,  4M118HA27 ,  4M118HA30 ,  4M118HA32 ,  5C024AX12 ,  5C024CY47 ,  5F088BA18 ,  5F088HA10 ,  5F088HA11 ,  5F088JA17