特許
J-GLOBAL ID：200903061321757175
記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-189589
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111100
出願日： 1995年07月25日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【課題】歩留りを向上させることが可能な記憶装置を提供する。【解決手段】16MビットDRAM111は、隣合う4つの4Mビットブロック(4MビットDRAM)121〜124によって構成されている。そして、各ブロック121〜124毎に上記実施形態の回路が組み込まれており、各ブロック121〜124で個別に不良アドレスの救済が行われる。各ブロック121〜124が全て救済可能(良品)であった場合には、実線αで切り離し、各ブロック121〜124における入出力(I/O )パッド以外のパッドを組み立て段階で接続する。これにより、各ブロック121〜124を組み合わせた16MビットDRAM111として製品化することができる。
請求項（抜粋）：
ウェハ上に配置された隣合う任意の数のマクロブロックを組み合わせることで所定の記憶容量を得る記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 29/00 301
, G11C 11/401
