特許
J-GLOBAL ID：200903061322681830
薄膜多結晶半導体層の形成方法、その形成方法を用いた薄膜トランジスタ及びその薄膜トランジスタを用いた表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311443
公開番号（公開出願番号）：特開平8-228010
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：
【要約】【課題】 水素の導入効率が高く、薄膜半導体層の形成時の水素の抜け出しが防止でき、かつ簡単なプロセスで高品位の薄膜多結晶半導体層を得ることを目的とする。【解決手段】 基板1上に、SiO2を形成して絶縁性下部層2を得る。次に、導電 性を決定する不純物が導入された薄膜半導体層3を形成する。そして、前記薄膜半導体層3の上方から水素をイオン注入して前記絶縁性下部層2内に導入水素含有層4を形成する。前記水素イオン注入の後、例えば、Arエキシマレーザなどのエネルギービームを照射し、前記の薄膜半導体層3内に前記導入水素含有層4内の水素を拡散させるとともに、薄膜半導体層3を再結晶化する。
請求項（抜粋）：
絶縁性下層部の表層部より下方側に導入水素含有層を有し前記絶縁性下層部上に薄膜半導体層が形成された水素化処理準備状態を形成した後、前記薄膜半導体層にエネルギービームを照射することにより水素を前記薄膜半導体層に拡散させる工程を含んでいることを特徴とする薄膜多結晶半導体層の形成方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 21/268
H01L 29/78 627 E
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 21/268 Z
, H01L 29/78 627 G
