特許
J-GLOBAL ID:200903061322869686
配向した結晶性高分子材料の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉村 暁秀 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-066747
公開番号(公開出願番号):特開2001-253962
出願日: 2000年03月10日
公開日(公表日): 2001年09月18日
要約:
【要約】【課題】高分子材料単味では配向し得ない分子量を有する高分子材料の結晶の配向を容易かつ確実に制御し、配向した結晶性高分子材料を製造することができる。【解決手段】所定の方位に配向した結晶性高分子材料の製造方法であって、結晶造核剤の単結晶と高分子材料とを混合・溶融・混練し、混練して得た結晶造核剤配合高分子材料を所定の形状に成形した後、所定の磁場を付与しつつ所定の熱処理を行こない結晶化することを特徴とする。
請求項(抜粋):
結晶造核剤と高分子材料とを混合・溶融・混練し、混練して得た結晶造核剤配合高分子材料を所定の形状に成形した後、所定の磁場を付与しつつ所定の熱処理を行ない結晶化することによって所定の方位に配向した結晶性高分子材料を得るための製造方法。
IPC (7件):
C08J 7/00 301
, C08J 7/00 CER
, C08J 7/00 CEZ
, C08K 5/20
, C08L101/12
, C30B 11/02
, C30B 29/58
FI (7件):
C08J 7/00 301
, C08J 7/00 CER
, C08J 7/00 CEZ
, C08K 5/20
, C08L101/12
, C30B 11/02
, C30B 29/58
Fターム (46件):
4F073AA32
, 4F073BA08
, 4F073BA10
, 4F073BA13
, 4F073BA14
, 4F073BA19
, 4F073BA23
, 4F073BA24
, 4F073BA27
, 4F073BA29
, 4F073BA52
, 4F073BB01
, 4F073GA01
, 4F073GA07
, 4G077AA02
, 4G077BF04
, 4G077CD10
, 4G077EJ02
, 4G077EJ10
, 4G077HA01
, 4J002BB121
, 4J002BB171
, 4J002BC031
, 4J002BD101
, 4J002CF061
, 4J002CF062
, 4J002CF071
, 4J002CH021
, 4J002CH071
, 4J002CL001
, 4J002CL002
, 4J002DA036
, 4J002DJ016
, 4J002DJ046
, 4J002EG026
, 4J002EG076
, 4J002EG096
, 4J002EL106
, 4J002EL116
, 4J002EN116
, 4J002EP026
, 4J002EU016
, 4J002EU066
, 4J002EU136
, 4J002FD202
, 4J002FD206
引用特許: