特許

J-GLOBAL ID：200903061323251520

誘電体薄膜形成装置及び誘電体薄膜の形成方法

発明者： 小牧 一樹 ,  中西 努 ,  藤川 和彦 ,  増谷 武 ,  野村 幸治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-143887
公開番号（公開出願番号）：特開平11-335834
出願日： 1998年05月26日
公開日（公表日）： 1999年12月07日
要約：

【要約】【課題】 少なくともPbとTiを含むABO3型のペロブスカイト型誘電体薄膜の形成装置および形成方法に関し、加熱ヒーター自体の低温化及び大面積で均質に薄膜の加熱ができる誘電体薄膜形成装置及び誘電体薄膜の形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 加熱ヒーター16側の表面の粗さを3〜10μmに加工を施した、あるいは熱吸収用の皮膜を基板加熱ヒーター16側の表面に塗布か蒸着した基板設置用支持体15を有している。また、熱伝導率向上用の皮膜を基板設置面に塗布した基板設置用支持体15を有している。さらに、2段階以上の厚みに加工した基板設置用支持体15を有している。

請求項（抜粋）：

少なくともPbとTiを含むABO3型のペロブスカイト型誘電体薄膜を形成するための薄膜形成装置において、表面の粗さを3〜10μmに加工した基板設置用の支持体を有する誘電体薄膜形成装置。

IPC (6件)：

C23C 14/50 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 302

FI (7件)：

C23C 14/50 E ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/44 H ,  C23C 16/46 ,  H01B 3/00 F ,  H01B 3/00 H ,  H01B 3/12 302