特許

J-GLOBAL ID：200903061325893871

ハイパワー発光ダイオード構造

発明者： 林 才捷
出願人/特許権者： 冠西電子企業股▲分▼有限公司
代理人 (6件)： 竹本 松司 ,  杉山 秀雄 ,  湯田 浩一 ,  魚住 高博 ,  手島 直彦 ,  白石 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-263479
公開番号（公開出願番号）：特開2009-094282
出願日： 2007年10月09日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：

【課題】 輝度を増して温度を下げられるハイパワー発光ダイオード構造の提供。【解決手段】 基板底部に導熱板を設け、且つ導熱板上表面に複数の絶縁膜を敷設すると共に、絶縁膜表面より突出する複数の電気接点を設け、並びに中央の電気接点内に少なくとも一つのエピタキシャルチップを設け、該エピタキシャルチップの周囲に複数の導熱機能を具備する注入孔を設け、且つ基板上に射出方式を利用してエピタキシャルチップ周囲を被覆可能なフレームを形成し、そのフレーム底面に複数の係止部を形成し、且つ複数の係止部を基板の注入孔に係合して位置決めし、フレーム上面に透光材料で製造した透光カバーを設け、エピタキシャルチップ底面を導熱板に確実に接合させて急速放熱し、透光カバー上部の円弧凸状表面の光の屈折により、発射光源輝度を高める。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

輝度アップ可能且つ温度を下げられるハイパワー発光ダイオード構造において、基板、フレームを包含し、該基板の底部に導熱板が設けられ、且つ該導熱板の上表面に複数の絶縁膜が敷設され、また該絶縁膜表面より突出する複数の電気接点が設けられ、並びに中央の電気接点内に少なくとも一つのエピタキシャルチップが設けられ、該エピタキシャルチップの周囲に複数の注入孔が設けられ、該フレームは射出成型で形成されて該エピタキシャルチップの周囲を被覆し、該フレームの底部に該基板の該注入孔内に向けて該注入孔と結合状態を呈する係止部が射出成型されたことを特徴とする、ハイパワー発光ダイオード構造。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 23/36

FI (2件)：

H01L33/00 N ,  H01L23/36 Z

Fターム (16件)：

5F041AA04 ,  5F041AA33 ,  5F041CA64 ,  5F041DA07 ,  5F041DA13 ,  5F041DA25 ,  5F041DA35 ,  5F041DA36 ,  5F041DC81 ,  5F136BA06 ,  5F136BB05 ,  5F136DA33 ,  5F136EA02 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA23

引用特許：

審査官引用 (2件)

• レンズ付発光ダイオード装置及びレンズ付発光ダイオード製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-373498   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-037784