特許
J-GLOBAL ID：200903061330737829
DMOS FET
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 正康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-189230
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041501
出願日： 1996年07月18日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】半導体リレーに使用するDMOS FETの出力端子間容量を少なくするとともに、耐圧の低下を防止する。【解決手段】DMOS FETの出力端子間容量を少なくするためドレインを細くしてゆく。ドレインを細くしてゆくとドレイン端部の曲率半径が小さくなるので耐圧はおお幅に低下する。この耐圧の低下はドレイン端部での放電破壊によることが多い。そこで電界が集中する端部のみ二分したドリフトチャンネル層のドレイン層に近い側の不純物濃度をP-ベース層に近い側の濃度より濃くし、電界が特に集中する延長方向の端部及び折り曲げ部の外側では前記の不純物濃度が変化する境界を、外側へ移行させることにより電界の集中を緩和して耐圧の低下を防止することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一つの面にn+半導体層とp+半導体層を含むPベース層と、このPベース層に隣接し所定の耐電圧が得られるよう一定の幅をもったドリフトチャンネル層と、このドリフトチャンネル層に接するドレイン層とを含みこの断面に直交する方向に延長した横型DMOS FETにおいて、前記ドリフト・チャンネル層を二分しドレイン層に近い側の不純物濃度をP-ベース層に近い側の濃度より濃くし、電界が特に集中する延長方向の端部及び折り曲げ部の外側では前記の不純物濃度が変化する境界を、外側へ移行させることにより電界の集中を緩和して耐圧の低下を防止することを特徴とするDMOSFET。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 W
, H01L 29/78 301 D
