特許
J-GLOBAL ID:200903061333744877

磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 薄田 利幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-070338
公開番号(公開出願番号):特開平9-265619
出願日: 1996年03月26日
公開日(公表日): 1997年10月07日
要約:
【要約】【課題】高密度な情報の記録再生が可能な、高保磁力、低ノイズ、高S*かつ信頼性の高い磁気記録媒体を提供すること。【解決手段】基板11上に、少なくとも二層の非磁性下地膜を介しCo基合金系の磁性膜からなる情報記録層15、15’が配置された磁気記録媒体であり、上記非磁性下地膜の内に最も基板側に配置された第1の非磁性下地膜13、13’が、Crを主成分とし、Zr、Si、Al、Ti、V、Ta、Yからなる群の少なくとも一種の元素と酸素とを含有する複合膜からなり、上記元素の濃度を1原子%以上、20原子%以下、酸素の濃度を1原子%以上、30原子%以下とするようにした磁気記録媒体。
請求項(抜粋):
基板上に、少なくとも二層の非磁性下地膜を介し、Co基合金系の磁性膜からなる情報記録層が配置された磁気記録媒体において、上記非磁性下地膜の内の最も基板側に配置された第1の非磁性下地膜は、Crを主成分とし、Zr、Si、Al、Ti、V、Ta及びYからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素並びに酸素を含有する複合膜からなり、上記元素の濃度が1原子%以上、20原子%以下、酸素の濃度が1原子%以上、30原子%以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
IPC (2件):
G11B 5/66 ,  G11B 5/85
FI (2件):
G11B 5/66 ,  G11B 5/85 Z
引用特許:
審査官引用 (3件)

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