特許
J-GLOBAL ID：200903061338845680
光半導体素子及び光通信装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-009024
公開番号（公開出願番号）：特開平7-218880
出願日： 1994年01月31日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 タイプII超格子を用いることにより、従来よりも低損失、低消費電力が可能な光半導体素子を提供する。さらに本発明の素子を用いることで、従来の半導体レーザ直接変調を用いた光通信装置を大幅な変更無く、高速な光半導体素子を用いた光通信装置に置き換えることを可能とする。【構成】 マッハツェンダ型光変調器のような屈折率変化が動作原理となる光半導体素子において、屈折率変化を生じさせる部分にタイプII超格子構造3を用いる。また、このタイプII超格子構造よりなる光半導体素子を含む光通信装置では、駆動回路の出力がオフの無電界時には光吸収により光出力は無く、駆動回路の出力がオンの電界印加時には光出力が得られるノーマリーオフの装置構成となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に導電型クラッド層、ガイド層、逆導電型クラッド層を基本構造として有し、吸収係数変化または屈折率変化を生じさせる電界印加手段を有する半導体素子において、前記ガイド層の一部が半導体材料1、2からなる超格子構造であり、かつ半導体材料1、2の各々の電子親和力χ<SB>1 </SB>、χ<SB>2 </SB>、禁制帯エネルギE<SB>g1</SB>、E<SB>g2</SB>がχ<SB>1 </SB><χ<SB>2</SB>χ<SB>1 </SB>+E<SB>g1</SB><χ<SB>2 </SB>+E<SB>g2</SB>なる関係を有することを特徴とする光半導体素子。
IPC (3件)：
G02F 1/015
, H01S 3/096
, H01L 27/15
