特許
J-GLOBAL ID：200903061340375941
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-114201
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316309
出願日： 1995年05月12日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 微細でかつ信頼性の高い多層配線構造を形成できる半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 導電体層2上に層間絶縁膜3、所定の幅tの孔4aを有する第1レジストパターン4を順次形成した後エッチングを行って、層間絶縁膜3に上層配線用の溝5を形成する。次に孔4aの幅tよりも大きい内寸wの開口を有する貫通孔7aを備えた第2レジストパターン7を第1レジストパターン4上に形成した後エッチングを行って、溝5の直下の層間絶縁膜3にコンタクトホール8を形成し、さらに第1レジストパターン4と第2レジストパターン7とを除去する。次に溝5内とコンタクトホール8内とを埋め込む状態で層間絶縁膜3上に導電材料からなる膜を形成した後、層間絶縁膜3の上面が露出する位置まで導電材料からなる膜を除去して上層配線とコンタクト部とを形成し、多層配線構造を得る。
請求項（抜粋）：
導電体層の上方に上層配線が形成され、かつ該上層配線と前記導電体層との間に導電性を有する柱状のコンタクト部が介装されてなる多層配線構造を有する半導体装置の製造方法であって、前記導電体層上に層間絶縁膜を形成し、その後該層間絶縁膜に前記上層配線用の溝を形成する第1工程と、前記溝の直下の前記層間絶縁膜に前記導電体層に到達するコンタクトホールを形成する第2工程と、前記溝内と前記コンタクトホール内とを埋め込む状態で前記層間絶縁膜上に導電材料からなる膜を形成する第3工程と、前記層間絶縁膜の上面が露出する位置まで前記導電材料からなる膜を除去し、前記溝内に前記導電材料を埋め込んでなる前記上層配線と、前記コンタクトホール内に前記導電材料を埋め込んでなりかつ前記導電体層と前記上層配線とにそれぞれ連続する前記コンタクト部とを形成し、前記多層配線構造を得る第4工程とを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28
, H01L 21/3065
H01L 21/90 C
, H01L 21/28 L
, H01L 21/302 J
