特許
J-GLOBAL ID：200903061342467975
半導体装置の保護膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-238518
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082510
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】半導体表面に形成する有機高分子膜が厚くても微小なパターンを精度よく、ドライエッチングにより形成できる半導体装置の保護膜の製造方法を提供する。【構成】素子領域2を含む基板上に、有機高分子膜3,有機SOG4の順で塗布した後、フォトレジストを用い有機SOG4をエッチングする。次に、この有機SOG4をマスクにして有機高分子膜3をエッチングすることにより、厚膜の保護膜でも精度良く形成できる。【効果】有機高分子膜が厚くても、微小なパターンを精度良くドライエッチングにて形成できるという効果が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に素子領域を形成した後、その上に有機高分子膜層を形成する工程と、所定の厚さの有機スピンオングラス層を形成する工程と、フォトレジストを用い、有機スピンオングラスを選択的に除去する工程と、有機スピンオングラスをマスク材料として異方性又は等方性のドライエッチング法により、選択的に有機高分子膜を除去する工程と、有機高分子膜を熱処理した後、有機スピンオングラスを剥離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の保護膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/312
, H01L 21/302
