特許
J-GLOBAL ID:200903061344284053

不揮発性メモリセルを読み出すための装置および方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石田 敬 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-152232
公開番号(公開出願番号):特開2000-057789
出願日: 1999年05月31日
公開日(公表日): 2000年02月25日
要約:
【要約】【課題】 基準セルを持たない不揮発性メモリセルを読みだすための装置および方法を得る。【解決手段】 読み出し方法は、未知のチャージ状態を記憶する2個のメモリセル(F1、F2)に同時に供給し;各チャージ状態に相関する2個の電気量(Va、Vb)を生成し;この2個の電気量を互いに比較し;比較結果に基づいて2ビット信号(01、02)を生成する、各ステップからなる。読み出し回路は、2入力コンパレータ(58)を備え、このコンパレータはそれぞれが電流/電圧コンバータ(41)によって各メモリセルに接続された並列な2個の分岐を備えている。2入力コンパレータ回路(58)と電流/電圧コンバータ(41)の両者は、低しきい値トランジスタ(49、50、65〜68)を備えている。
請求項(抜粋):
未知のチャージ状態を記憶する2個のメモリセル(F1、F2)のそれぞれに接続可能な2個の入力ノード(11、12)を有する、不揮発性メモリセル(F1、F2)を読み出すための装置(10)であって、2入力コンパレータ回路(58)を備え、該2入力コンパレータ回路(58)は前記2入力ノード(11、12)の各1個にそれぞれ接続された2個の入力(41a、41b)を有し、前記チャージ状態を互いに比較し、更に出力において前記チャージ状態をコーディングする2ビット信号(01、02)を生成する事を特徴とする、不揮発性メモリセルを読み出すための装置。

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