特許

J-GLOBAL ID：200903061344631993

回路基板

発明者： 池田 和男 ,  田村 成敬 ,  佐藤 英樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-235129
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094624
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】リードフレームの接合強度を高めて使用時におけるリードフレームの剥離を防止し、動作信頼性が高く、かつ放熱性に優れた回路基板を提供する。【構成】絶縁性基板4にリードフレーム2が接合されるとともに半導体素子3が搭載される回路基板1aにおいて、絶縁性基板としての窒化アルミニウム基板4と、この窒化アルミニウム基板4表面のリードフレーム接合部および素子搭載部に形成された活性金属メタライズ層5と、この活性金属メタライズ層5の表面に形成された銅めっき層6および/またはニッケルめっき層7とを備えたことを特徴とする。また銅めっき層6および/またはニッケルめっき層7の最外表面に、さらに金めっき層8または半田層を一体に形成してもよい。さらに素子搭載部の表面粗さは十点平均粗さ(Rz)で5μm以下に設定するとよい。さらに活性金属メタライズ層5bは、Ti,Zr,HfおよびNbから選択される少くとも1種の活性金属を含有するろう材から構成するとよい。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板にリードフレームが接合されるとともに半導体素子が搭載される回路基板において、絶縁性基板としての窒化アルミニウム基板と、この窒化アルミニウム基板表面のリードフレーム接合部および素子搭載部に形成された活性金属メタライズ層と、この活性金属メタライズ層表面に形成された銅めっき層および/またはニッケルめっき層とを備えたことを特徴とする回路基板。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/08