特許

J-GLOBAL ID：200903061346389391

半導体エピタキシャルウエハとその製法,半導体装置及びその製法

発明者： 井上 洋典 ,  宮内 昭浩
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-069068
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281591
出願日： 2003年03月14日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】本発明は、結晶欠陥が非常に少なく、且つゲッタリング作用も高く均一な膜厚を有する大口径のSiエピウエハの半導体基板の構造及びその製造方法に関する。【解決手段】Siの単結晶基板ウエハ表面にSi単結晶薄層(エピ層)を形成したエピウエハにおいて、前記Si単結晶基板とSi単結晶薄層の間に、少なくとも前述Si単結晶基板及びSi単結晶薄層両者との界面において、結晶学的単位格子におけるSi単結晶基板表面にほぼ平行な方向の格子間隔が前記Si単結晶基板とほぼ同等であって、結晶欠陥が非常に少ないSi1-xGex単結晶薄層を設ける。【効果】従来エピウエハに比べて結晶欠陥が非常に少なく、且つゲッタリング作用も高く均一な膜厚を有する大口径のSiエピウエハを、高い生産性で得ることができる。また、本発明により微細構造MOSトランジスタの製造歩留まりを大幅に向上することができ、且つ半導体装置の信頼性が向上する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコン(Si)の単結晶基板ウエハ表面にSi単結晶薄層(エピタキシャル層,エピ層と略記)を形成したエピタキシャル(エピと略記)ウエハにおいて、前記Si単結晶基板とSi単結晶薄層の間に、少なくとも前述Si単結晶基板及びSi単結晶薄層両者との界面において、結晶学的単位格子におけるSi単結晶基板表面にほぼ平行な方向の格子間隔が前記Si単結晶基板とほぼ同等であって、結晶欠陥が非常に少ないシリコンゲルマニウム(Si1-xGexと略記、xは組成比)単結晶薄層を設けたことを特徴とするSiエピウエハ。

IPC (4件)：

H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L29/78

FI (4件)：

H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/322 G ,  H01L29/78 301B

Fターム (45件)：

5F045AA06 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AD10 ,  5F045BB02 ,  5F045BB12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA61 ,  5F045HA16 ,  5F052AA17 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB01 ,  5F052FA23 ,  5F052GA01 ,  5F052JA01 ,  5F140AA00 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA17 ,  5F140BA20 ,  5F140BB18 ,  5F140BC13 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG28 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK13 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CE03 ,  5F140CF04