特許
J-GLOBAL ID：200903061349153232
第2高調波発生装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-051930
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283791
出願日： 1991年03月18日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】[目的] 短波長のレーザ光を高出力で発生できる、コンパクトな第2高調波発生装置を提供する。[構成] 第2高調波発生装置は直列に配置された半導体レーザチップ30と、擬位相整合素子50から構成される。半導体レーザチップ30は擬位相整合素子50と光結合され、擬位相整合素子50から戻る光を利用してレーザ光を発振する。擬位相整合素子50は半導体レーザチップ30から放射されるレーザ光を基本波として受信し、第2高調波光を発生する。
請求項（抜粋）：
半導体レーザを基本波光源とする第2高調波発生装置であって、半導体レーザチップと、擬位相整合素子とを具え、前記半導体レーザチップと前記擬位相整合素子とを、前記半導体レーザチップが前記位相整合素子からの戻り光を利用してレーザ発振するように、光結合させてあり、前記擬位相整合素子は、前記半導体レーザチップから放射されるレーザ光を基本波の光として第2高調波の光を発生することを特徴とする第2高調波発生装置。
IPC (3件)：
H01S 3/109
, G02F 1/37
, H01S 3/18
