特許

J-GLOBAL ID：200903061349623379

多層配線構造のコンタクトホール形成方法

発明者： 岡野 涼子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-183614
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037866
出願日： 1993年07月26日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 多層配線構造のコンタクトホール形成方法に関し、コンタクトホール内のドライエッチング残渣を充分に洗浄して、低いコンタクト抵抗を有し、配線パターン等にコロージョンを生じない多層配線構造を提供する。【構成】 シリコン等の基板上にAl,Ni等の下層配線パターンを形成し、この下層配線パターンの上に酸化シリコン、窒化シリコン、ポリイミド等の層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜の下層配線パターンの上に、CF4 ,CHF3 等のフッ化物、塩化物等のガスを用いてドライエッチングすることによりコンタクトホールを開孔し、このコンタクトホールを有する層間絶縁膜の表面を、NO,NO2 ,NH3 等を含む酸またはアルカリのガス、またはこれらの酸またはアルカリのガスに水蒸気を加えた雰囲気によって洗浄して、コンタクトホール中のドライエッチング残渣を除去する。

請求項（抜粋）：

基板上に下層配線パターンを形成し、該下層配線パターンの上に層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜の該下層配線パターンの上にドライエッチングによりコンタクトホールを開孔し、該コンタクトホールを有する層間絶縁膜の表面を、酸又はアルカリのガスによって洗浄することを特徴とする多層配線構造のコンタクトホール形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/90 A