特許
J-GLOBAL ID：200903061352134583
薄膜トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-204605
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055508
出願日： 1995年08月10日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：
【要約】【課題】 p-SiTFTにおいて、ポリシリコンゲートのエッチング時にゲート絶縁膜へに欠陥が生じ、キャリアトラップからリーク電流やアバランシェ劣化などが起こるのを防ぐ。【解決手段】 高濃度のソース領域11S及びドレイン領域11Dと、その内側に低濃度のLD領域11L、更にその内側に極低濃度のVLD領域11VLを形成する。これにより、チャンネル両端部における電界が緩和され、リーク電流やアバランシェ劣化が防がれる。このようなVLD領域11VLはゲート電極13の側壁にスペーサ14を被覆し、LD領域11Lへ不純物のイオン注入を行うことにより、スペーサ14の影部分が極低濃度にドーピングされて形成される。
請求項（抜粋）：
基板上に島状に形成され不純物を含有しないチャンネル領域と該チャンネル領域の両側に不純物を高濃度に含有したソース及びドレイン領域とからなる多結晶半導体島層と、該多結晶半導体島層を覆うゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上の前記チャンネル領域上方に形成され少なくとも多結晶シリコン層からなるゲート電極と、前記ソース領域に接続するソース電極と、前記ドレイン領域に接続するドレイン電極とからなる薄膜トランジスタにおいて、前記ソース領域及びドレイン領域と前記チャンネル領域との間には、各々不純物を低濃度に含有した低濃度領域が介在され、この低濃度領域は各々前記ソース及びドレイン領域の側から前記チャンネル領域の側へ向かって低下する不純物濃度勾配を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 616 A
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 616 V
