特許

J-GLOBAL ID：200903061353400201

ガラスセラミック誘電体材料および焼結体

発明者： 西川 欣克 ,  馬屋原 芳夫
出願人/特許権者： 日本電気硝子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-286990
公開番号（公開出願番号）：特開2003-095740
出願日： 2001年09月20日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
要約：

【要約】【課題】 1000°C以下の温度で焼成でき、しかも0.1GHz以上の高周波数領域において誘電損失が低く、かつ銀導体と同時焼成をおこなっても基板の変形がないガラスセラミック誘電体材料を提供する。【解決手段】 質量百分率で、結晶性ガラス粉末50〜100%、セラミック粉末0〜50%からなり、該結晶性ガラス粉末がSiO2-CaO-MgO-Fe2O3-ZnO系ガラスからなり、主結晶としてディオプサイド(CaMgSi2O6)及びオージャイト[Ca(Mg、Fe)Si2O6]、並びにウイレマイト(Zn2SiO4)及び/又はハーディストナイト(Ca2ZnSiO7)の結晶を析出する性質を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

質量百分率で、結晶性ガラス粉末50〜100%、セラミック粉末0〜50%からなり、該結晶性ガラス粉末がSiO2-CaO-MgO-Fe2O3-ZnO系ガラスからなり、主結晶としてディオプサイド(CaMgSi2O6)及びオージャイト[Ca(Mg、Fe)Si2O6]、並びにウイレマイト(Zn2SiO4)及び/又はハーディストナイト(Ca2ZnSiO7)の結晶を析出する性質を有することを特徴とするガラスセラミック誘電体材料。

IPC (3件)：

C04B 35/495 ,  C03C 10/04 ,  H01B 3/02

FI (3件)：

C03C 10/04 ,  H01B 3/02 A ,  C04B 35/00 J

Fターム (84件)：

4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA27 ,  4G030AA32 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030BA09 ,  4G030HA04 ,  4G030HA09 ,  4G030HA25 ,  4G062AA10 ,  4G062AA11 ,  4G062BB01 ,  4G062DA05 ,  4G062DA06 ,  4G062DB01 ,  4G062DC01 ,  4G062DD01 ,  4G062DE02 ,  4G062DE03 ,  4G062DE04 ,  4G062DF01 ,  4G062EA01 ,  4G062EB01 ,  4G062EC01 ,  4G062ED04 ,  4G062EE04 ,  4G062EF01 ,  4G062EG01 ,  4G062FA01 ,  4G062FA10 ,  4G062FB01 ,  4G062FC01 ,  4G062FD01 ,  4G062FE01 ,  4G062FF01 ,  4G062FG01 ,  4G062FH01 ,  4G062FJ01 ,  4G062FK01 ,  4G062FL01 ,  4G062GA01 ,  4G062GA10 ,  4G062GB01 ,  4G062GC01 ,  4G062GD01 ,  4G062GE01 ,  4G062HH01 ,  4G062HH03 ,  4G062HH05 ,  4G062HH07 ,  4G062HH09 ,  4G062HH12 ,  4G062HH13 ,  4G062HH15 ,  4G062HH17 ,  4G062JJ01 ,  4G062JJ03 ,  4G062JJ05 ,  4G062JJ07 ,  4G062JJ10 ,  4G062KK01 ,  4G062KK03 ,  4G062KK05 ,  4G062KK07 ,  4G062KK10 ,  4G062MM31 ,  4G062MM40 ,  4G062NN26 ,  4G062QQ08 ,  5G303AA05 ,  5G303AB06 ,  5G303AB15 ,  5G303BA12 ,  5G303CA03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB13 ,  5G303CB17 ,  5G303CB30 ,  5G303CB38 ,  5G303CD01 ,  5G303CD04 ,  5G303CD06 ,  5G303DA05