特許

J-GLOBAL ID：200903061353989590

半導体用リードフレーム

発明者： 尾崎 敏範 ,  秋野 久則 ,  友部 政勝 ,  ▲吉▼岡 修 ,  竹谷 則明
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-197894
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041452
出願日： 1996年07月26日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 酸化物が電解還元除去され易いと共に、必要以上に強固でなく、かつ、耐食性が下地材料と同等以下の材料からなる中間層を有した半導体用リードフレームを提供するものである。【解決手段】 半導体チップを搭載するためのチップ搭載部4と、半導体チップ上の電極と接続するためのインナーリード2と、プリント基板などと接続するためのアウターリード3とを有した半導体用リードフレーム1において、Cu合金またはFe-Ni合金からなるリードフレーム下地5全面に、膜厚が0.5〜20μmとなるようCoめっき膜またはCo合金めっき膜6を形成し、そのCoめっき膜またはCo合金めっき膜6の上面に、膜厚が0.05〜0.2μmとなるようPdめっき膜7aまたはPdめっき膜7aとAuめっき膜7bとの複合膜を形成したものである。

請求項（抜粋）：

半導体チップを搭載するためのチップ搭載部と、半導体チップ上の電極と接続するためのインナーリードと、プリント基板などと接続するためのアウターリードとを有した半導体用リードフレームにおいて、Cu合金またはFe-Ni合金からなるリードフレーム下地全面に、膜厚が0.5〜20μmとなるようCoめっき膜またはCo合金めっき膜を形成し、そのCoめっき膜またはCo合金めっき膜の上面に、膜厚が0.05〜0.2μmとなるようPdめっき膜またはPdめっき膜とAuめっき膜との複合膜を形成したことを特徴とする半導体用リードフレーム。

IPC (3件)：

H01L 23/50 ,  C23C 28/00 ,  C23C 28/02

FI (3件)：

H01L 23/50 D ,  C23C 28/00 E ,  C23C 28/02