特許
J-GLOBAL ID：200903061360846924
太陽電池の製造方法及び該方法で得られる太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-016520
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283722
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 Siウエハ上に成長させたエピタキシャル層を剥離して薄膜結晶太陽電池を得る方法を提供する。【構成】 Siウエハ301上に陽極化成により多孔質Si層303を形成し、その上にパターニングした絶縁層302を設け、選択的エピタキシャル成長法によりエピタキシャルSi層304を成長させ、空隙305を通して絶縁層302を除去した後に選択的エッチングにより多孔質Si層303のみをエッチングすることによりエピタキシャルSi層304をウエハ301より分離する。分離したSi層304は金属基板上に固着して太陽電池を形成する。【効果】 高品質な薄膜結晶太陽電池が得られる。
請求項（抜粋）：
シリコンウエハ上に成長させたエピタキシャル膜を用いた太陽電池の製造方法において、i)前記ウエハの片側表面に陽極化成により多孔質層を形成する工程と、ii)前記多孔質層上に絶縁層を形成してパターニングにより該絶縁層の一部のみを残して基板を作製する工程と、iii)選択的エピタキシャル成長法により前記基板の前記絶縁層以外の多孔質上にシリコン層を成長させる工程と、iv)前記シリコン層の表面に半導体接合を形成する工程と、v)前記絶縁層上に形成される空隙を通して前記絶縁層及び多孔質層をエッチングにより除去して前記シリコン層を基板より分離する工程とを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 A
, H01L 31/04 X
