石英るつぼ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：穂上照忠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-201173
公開番号（公開出願番号）：特開2001-026494
出願日： 1999年07月15日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】シリコン単結晶引き上げ用の、とくに長時間使用中の内表面劣化を抑制した石英るつぼの提供。【解決手段】内表面から少なくとも深さ200μmの部位の石英ガラスの仮想温度が1700〜2300Kであるシリコン単結晶引き上げ用石英るつぼ。このるつぼは、たとえば回転アーク溶融法にてるつぼの内層の石英ガラスを形成させるとき、加熱到達最高温度を高くしておき、アーク電源を切断して放冷するという方法で製造することができる。

請求項（抜粋）：

内表面から少なくとも深さが200μmまでの部位の石英ガラスの仮想温度が1700〜2300Kであることを特徴とするシリコン単結晶引き上げ用石英るつぼ。

IPC (2件)：

C30B 15/10 , C30B 29/06 502

FI (2件)：

C30B 15/10 , C30B 29/06 502 B

Fターム (6件)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF00 , 4G077ED01 , 4G077EG02 , 4G077HA12

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