特許

J-GLOBAL ID：200903061370523597

半導体装置

発明者： 三輪 孝志 ,  菊池 卓 ,  宝蔵寺 裕之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-316402
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162236
出願日： 1995年12月05日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 実装基板の実装面に対する半導体装置の平坦度が低下する。また、熱に対する半導体装置の信頼性が低下する。【解決手段】 樹脂基板からなる配線基板1の主面の外部端子1Aと半導体ペレット2の主面の外部端子2Aとをバンプ電極3で固着する半導体装置であって、前記半導体チップ2の主面の周辺領域に前記バンプ電極3を配置し、前記半導体チップ2の主面の中央領域と対向する前記配線基板1の領域に開口1Cを設ける。また、前記配線基板1と半導体チップ2との間の間隙領域に、前記配線基板1の開口1Cを通して樹脂4を充填する。

請求項（抜粋）：

樹脂基板からなる配線基板の主面の外部端子と半導体ペレットの主面の外部端子とをバンプ電極で固着する半導体装置であって、前記半導体チップの主面の周辺領域に前記バンプ電極が配置され、前記半導体チップの主面の中央領域と対向する前記配線基板の領域に開口が設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/12 L