特許
J-GLOBAL ID：200903061371024888
安息香酸誘導体の多価金属塩の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-276394
公開番号（公開出願番号）：特開平7-126232
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 1995年05月16日
要約：
【要約】【構成】 一般式(1)で表される安息香酸誘導体のアルカリ金属塩と多価金属化合物とを、水の存在下で反応させた後、熱処理する該安息香酸誘導体の多価金属塩の製造方法、およびアモルファスの該多価金属塩を、水の存在下に熱処理する該多価金属塩の結晶の製造方法。【化1】(式中、X1およびX2は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基またはニトロ基を表し、Yは酸素原子または硫黄原子を表し、R1は水素原子、アルキル基、アラルキル基またはアリール基を表し、R2はアルキル基、アルケニル基、アラルキル基またはアリール基を表す。)【効果】 記録材料用の電子受容性化合物として有用な安息香酸誘導体の多価金属塩およびその結晶を効率良く製造する。
請求項（抜粋）：
一般式(1)で表される安息香酸誘導体のアルカリ金属塩と多価金属化合物とを水の存在下で反応させた後、熱処理することを特徴とする一般式(1)で表される安息香酸誘導体の多価金属塩の製造方法。【化1】(式中、X1およびX2は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基またはニトロ基を表し、Yは酸素原子または硫黄原子を表し、R1は水素原子、アルキル基、アラルキル基またはアリ-ル基を表し、R2はアルキル基、アルケニル基、アラルキル基またはアリ-ル基を表す)
IPC (7件)：
C07C233/54
, B41M 5/30
, C07C231/12
, C07C231/24
, C07C233/55
, C07C233/87
, C07C327/40
