特許

J-GLOBAL ID：200903061374355753

固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子の測定方法及び測定装置

発明者： 浜崎 正治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-361378
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164395
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 検査工程における測定を正しくかつ測定にかかる時間を短縮することができる固体撮像素子の製造方法、並びに固体撮像素子の測定方法及び測定装置を提供する。【解決手段】 半導体ウエハ1に固体撮像素子の各層を形成し、測定の種類が相異なる測定部が一体化して設けられた測定装置10を使用して、各測定部により半導体ウエハ1のそれぞれ1つの半導体チップとなる領域3に対して測定を行う過程を繰り返し、半導体ウエハ1の半導体チップとなる領域3の全てに対して順次測定を行う固体撮像素子の検査工程と、その後半導体ウエハ1を各半導体チップに分割する工程とを有して固体撮像素子の製造を行う。また、固体撮像素子の測定に当たり、上記測定装置10を使用して、各測定部により固体撮像素子が形成された半導体ウエハ1の1つの半導体チップとなる領域3に対して測定を行う。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハに固体撮像素子の各層を形成する工程と、少なくとも測定の種類が相異なる第1の測定部と第2の測定部とを含む複数の測定部が一体化して設けられた測定装置を使用して、上記複数の測定部の各測定部により上記半導体ウエハのそれぞれ1つの半導体チップとなる領域に対して測定を行う過程を繰り返し、上記半導体ウエハの半導体チップとなる領域の全てに対して順次測定を行う固体撮像素子の検査工程と、その後、上記半導体ウエハを各上記半導体チップに分割する工程とを有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26 ,  H01L 27/14

FI (4件)：

H01L 21/66 B ,  H01L 21/66 X ,  G01R 31/26 E ,  H01L 27/14 Z

Fターム (19件)：

2G003AA06 ,  2G003AA10 ,  2G003AE01 ,  2G003AG03 ,  2G003AG08 ,  2G003AH04 ,  2G003AH05 ,  2G003AH09 ,  4M106AA01 ,  4M106AB09 ,  4M106BA01 ,  4M106CA15 ,  4M106CA70 ,  4M106DD03 ,  4M106DD12 ,  4M106DD16 ,  4M118AA09 ,  4M118AB01 ,  4M118EA11