特許
J-GLOBAL ID：200903061374842514
マイクロ波プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-120074
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291191
出願日： 1992年04月14日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 マイクロ波プラズマ処理装置において、プラズマ密度を高めて処理速度を充分に速いものとし且つ平面形状が軸対称形状を有するプラズマ分布を得て良好な処理を行う。【構成】 内部を減圧状態に保持する機構とガスを導入する機構を備える真空容器5と、この真空容器5内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入機構と、導入されたガスをマイクロ波でプラズマにするプラズマ発生機構6と、このプラズマ発生機構6に対し所定間隔をあけて設置される基板保持機構11を備え、マイクロ波導入機構は、真空容器内に設けられたプラズマ発生機構6にマイクロ波が導入されるとき、マイクロ波の電磁界が円形導波管の軸に対して対称のモードとなるよう構成される。マイクロ波導入機構には、同軸導波管23又は円形導波管33等が望ましい。
請求項（抜粋）：
内部を減圧状態に保持する機構とガスを導入する機構を備える真空容器と、この真空容器内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入機構と、導入された前記ガスを前記マイクロ波でプラズマにするプラズマ発生機構と、このプラズマ発生機構に対し所定間隔をあけて設置される基板保持機構とを備えるマイクロ波プラズマ処理装置において、前記マイクロ波導入機構は、前記真空容器内に設けられた前記プラズマ発生機構に前記マイクロ波が導入されるとき、導入された当該マイクロ波の電磁界が円形導波管の軸に対して対称であるモードとなるよう構成されることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/027
