改善されたフィン構造を有するダイナミックランダムアクセスメモリセル及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253023
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029479
出願日： 1991年09月04日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】キャパシタが、コンタクト6を通じてトランジスタのアクティブ領域5と直接接触させて形成される第1の蓄積ポリシリコン層7、各蓄積ポリ7,9,11間に形成される異形物質層8,10を囲んで形成されるポリシリコン膜12、誘電体膜13及びプレート電極14から構成される改善されたフィン構造を有するDRAMセルである。DRAMセルのキャパシタは、トランジスタの絶縁膜4を食刻してコンタクト6を形成した後、蓄積ポリシリコン層及び異形物質層を交互に形成し;これらを所要の形に食刻し、これらを囲んでポリシリコン膜12、誘電体膜13及びプレート電極14を形成することにより形成される。【効果】自己整列コンタクトによりミス整列マージンを縮めてセル面積を減少させる。蓄積ポリシリコン層のフィン構造により、キャパシタの有効面積を増加できて積層構造のキャパシタを容易に形成できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板1上にゲート3、絶縁膜4及びアクティブ領域5を備えてなるトランジスタと、フィン構造を有するキャパシタと、からなるダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)セルにおいて、前記キャパシタが、前記絶縁膜4上にコンタクト6を通じてアクティブ領域5と直接接触されるように形成される第1の蓄積ポリシリコン層7;前記第1の蓄積ポリシリコン層7及び第2の蓄積ポリシリコン層9との間に形成される異形物質層8;及び前記蓄積ポリシリコン層7,9及び異形物質層8を囲むように形成されるポリシリコン膜12,誘電体膜13及びプレート電極14;から構成されることを特徴とする改善されたフィン構造を有するダイナミックランダムアクセスメモリセル。

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